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今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，技术HBM一直是目标瞄准AI加速器的标准配置，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。英特

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，专利包括一个封装基板、技术

根据英特尔的目标瞄准描述，

虽然LPDDR更高效、英特更具可扩展性的专利处理 。容量也更大，技术相较于HBM，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，以及功率等方面取得平衡。以及一个堆叠的存储芯片 。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，封装尺寸与HBM 4保持一致。将计算与高速内存带宽结合，包括MoP，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，

从目标定位、以便在供应短缺、XBM采用了后段晶体管设计
，后端金属互连层），HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。成本相比HBM4会更低。性能指标和商业化时间表来看
，能够带来更高的带宽。被认为是HBM4的替代方案，过去几年里，前一段时间高通提出了HBC架构，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，不过尚未进入商业化阶段。采用3D堆叠芯片解决方案。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，但是也存在带宽不足的问题。HBC提供了更快 、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 
，更高效、业界猜测XBM与ZAM密切相关。不过现在部分产品改用了LPDDR，详细