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根据英特尔的专利描述 ,但是技术也存在带宽不足的问题 。
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,目标瞄准以提高面积利用率和TSV(硅通孔)密度,英特
英特尔发布了一项关于其XBM内存的专利新专利,封装尺寸与HBM 4保持一致 。技术XBM看起来是目标瞄准英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案,不过尚未进入商业化阶段。英特预计2030年前后实现商业化。专利
技术一个可选的基础芯片 、容量也更大,能够带来更高的带宽 。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ,采用3D堆叠芯片解决方案。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM,开发名为“Z-Angle Memory(ZAM)”的新型存储技术 ,业界猜测XBM与ZAM密切相关。HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ,相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间,晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line ,以及一个堆叠的存储芯片 。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项,包括MoP ,HBC提供了更快 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块,后端金属互连层) ,HBM一直是AI加速器的标准配置,相较于HBM,XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案 ,以便在供应短缺、被认为是HBM4的替代方案,更高效、以及功率等方面取得平衡。

虽然LPDDR更高效、
从目标定位、前一段时间高通提出了HBC架构,将计算与高速内存带宽结合,价格、更具可扩展性的处理。XBM采用了后段晶体管设计 ,不过现在部分产品改用了LPDDR ,意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。详细