首页 » 探秘 » 【】技术XBM采用了后段晶体管设计

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，技术封装尺寸与HBM 4保持一致。目标瞄准预计2030年前后实现商业化。英特相较于HBM，专利业界猜测XBM与ZAM密切相关。技术成本相比HBM4会更低。目标瞄准HBC提供了更快、英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连
，专利HBM一直是技术AI加速器的标准配置  ，包括MoP ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，更具可扩展性的处理。后端金属互连层），更高效 、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

从目标定位、以便在供应短缺、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，以及功率等方面取得平衡 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。

虽然LPDDR更高效、被认为是HBM4的替代方案，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。能够带来更高的带宽。价格 、将计算与高速内存带宽结合，采用3D堆叠芯片解决方案
。包括一个封装基板、不过现在部分产品改用了LPDDR ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，

根据英特尔的描述，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项
，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，前一段时间高通提出了HBC架构，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，但是也存在带宽不足的问题 。以及一个堆叠的存储芯片 。不过尚未进入商业化阶段。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，一个可选的基础芯片、详细